1.【初記】：活潑腦細胞在記憶初期，能夠在較短的時間內(nèi)發(fā)生突觸感應(yīng)閾降低而形成有效的記憶通路，但這種細胞的突觸感應(yīng)閾降低和回升周期都很短，是以分秒來計算的，所以維持的時間較短。


2.【熟記】：當(dāng)有效的短期記憶通路形成后，如果繼續(xù)反復(fù)刺激相關(guān)的腦細胞，則這些細胞會刺激其周邊的細胞，從而使記憶的路徑擴闊，在活潑細胞周圍的細胞是中活性細胞，這些中活性細胞的突觸增生和退化速度比活潑細胞的突觸變化周期長一個數(shù)量級，當(dāng)這些細胞建立有效的記憶通路后，記憶就能夠保持較長的時間，從而實現(xiàn)熟記。


3.【牢記】：當(dāng)有效的中期記憶通路形成后，如果繼續(xù)反復(fù)刺激相關(guān)的中期記憶腦細胞，則這些細胞會刺激其周邊的細胞，從而使記憶的路徑進一步擴闊，而中活性細胞的周邊是惰性腦細胞，這些惰性腦細胞的突觸增生和退化速度又比中活性細胞的周期延長一個數(shù)量級，當(dāng)這些細胞建立有效的記憶通路后，記憶就能夠保持很長的時間，從而實現(xiàn)牢記。


4.【永久記】：任何記憶都不可能是永久的，所謂“永久記憶”，只不過是相對于一個人的有生之年而言的，在牢記之后，如繼續(xù)反復(fù)鞏固刺激，則有更多更大惰性的細胞參與記憶通路，由此而實現(xiàn)記憶的進一步延長，從而實現(xiàn)相對一個人一生而言的“永久記憶”。

*一次記憶的內(nèi)容太多了，記憶效果就會變差：
記憶的本質(zhì)是腦細胞的突觸增生，而初記的本質(zhì)是負責(zé)短期記憶的活性腦細胞的突觸感應(yīng)閾下降，當(dāng)一次記憶了一大批內(nèi)容后，大腦的短期記憶細胞（本來數(shù)量就較少）已達到相對飽和的興奮狀態(tài)，需要時間刺激中活性腦細胞的突觸增生才能形成記憶。


如果在這個時候續(xù)進行同類的不同內(nèi)容的記憶，則會打亂突觸增生過程，先記的內(nèi)容得不到固定，從而記憶效果變差，此外，大量記憶時會消耗記憶所需的營養(yǎng)物質(zhì)，假如消耗太大，供不應(yīng)求，也會影響記憶的效率。


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